使用镍、钯和浸金包覆层的铜垫架构图
目前钯的应用之一，就是运用在半导体功率装置的无电镀镍（EN）制程来制造铜（Cu）垫互连的包覆层。相较于传统的铝（Al）垫，铜垫互连的特点包括低电阻和高可靠性。铜的电镀金属化耐用且抗疲乏，能让装置维持原始的热状态很长一段时间，可以承受数百万次达到高温度峰值的应力脉冲，不会故障。先用镍（Ni）作为一开始的包覆层，接着是无电镀钯（EP），最后是浸金层，作为接合表面。金可让钯不致氧化，同时不形成氢。在后续的接合制程中，接合线和钯之间会形成介金属相，而镍将成为铜和钯表面中间的扩散阻碍层。无电镀镍优于电镀镍，因为其沉积物较不怕腐蚀，而且均匀度也不会因使用的电流密度而受影响。铝垫在无电镀镍之前会先进行锌活化制程，而铜垫则需要一层薄薄的钯层，作为无电镀镍活化的催化剂，因为铜比镍更容易带正电。