金纳米粒子增强存储器的数据保留性能
非易失性存储器（non-volatile memory，缩写为NVRAM）是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。目前主流技术是采用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般采用的是锗、锑、碲合金（简称GST）。这种合金在常温下有两种状态，一种是不规则、无序的，具有较高的电阻（非晶态）；另一种是高度有序的，具有较低的电阻（晶态）。通过电脉冲局部集中加热的方式在这两种之间切换。和RAM一样，相变存储器是按位读写的。相比于Flash技术，相变存储器不需要单独的擦除步骤。读取延迟大约在50-100纳秒左右，写入延迟大约是几毫秒。PCM对运行环境的温度要求很敏感，一般工作在0-70摄氏度之间。
台湾科学家和工程师已发明一种非易失性存储器。这种设备是使用金纳米粒与一种夹在二节铝电极之间的聚合物相混合制造出来的。
台湾中兴大学（NCHU）的科学家宣称，他们在研发一种新的低成本存储器阵列16字节设备方面取得了新突破。中兴大学和工业技术研究院（ITRI）科学家的共同努力将使生产永久性的有机体记忆器成为可能。
在此之前，工程师们已经开始尝试制造出一种由塑料和其它碳基化学物质组成的固定存储器。柔性碳有机体记忆技术对于射频识别(RFID)、智能卡以及手机柔性显示屏的大量生产是至关重要的。
工程师和科学家面临的主要问题是有机体记忆器在空气中和在许多读写周期的压力下容易发生故障。采用突破性技术的记忆器利用金纳米粒与一种名为PCm的夹在二节铝电极之间的聚合物相混合。这种结构是一种待用状态，可产生很少的电流。然而，如果电压推进2瓦特，电流就会暴涨10,000倍。
根据cellular-news报道，这种技术的联合发明者兼中兴大学电机工程助理教授ZingwayPei称，增加的金纳米粒可使有机体记忆变得稳定，并有助于其装备1,000个开关。裴教授及其同事从理论上证实，率先到达阈值的少量电子实际上可从一个金纳米粒跳迁到另一个金纳米粒。一些电子会被捕获并提供一种导电通路以使设备起作用。在这些过程中，更小的电压将可以运载更高的电流，而且它还将开始存储电流。这些存储的电流可通过简单地输入负电压的方式来进行消除。
即使它被暴露于户外，这种新的设备也能够保留数据达10天之久。裴教授认为，设备的稳定性还可以提高，其保留数据的时间也应该可以达到30天。美国在2007年3月为工业技术研究院提供了910万美元的资助，以帮助其建立首个软性电子实验室。
其他的研究小组也在积极地参与有关有机体非易失性记忆器的研究计划。一些实验室正在探索使用其它纳米粒如嵌入塑料中的碳-60。而其他实验室则正在研究塑料的效用，以将其作为有机电晶体结构的一个组成部分。