金凸点工艺路线图
在硅芯片上制作金凸点的方法有电镀法和钉头法等。由于电镀法制作金凸点具有适合I／O端数多、凸点尺寸可大可小和可以实现园片级封装(WLP)等优点，所以目前大多数金凸点制作采用电镀法。普通IC制造工艺的最后一步工序是光刻钝化层，露出铝电极。在硅圆片上电镀法制作金凸点就是在刻完钝化层后进行，主要工艺步骤如图所示，其中溅射UBM、厚胶光刻和厚金电镀是3个关键的技术。