用于铂掺杂的浸泡溶液及快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法
快恢复二极管(简称FRD)，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体 二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极 管、续流二极管或阻尼二极管使用。
在快恢复二极管中，硅快恢复二极管应用广泛。为了提高开关速度，减少反向恢复 时间T"，传统的方法是采用重金属掺杂(如掺金、掺铂）和电子辐射等技术在二极管中大面 积甚至是整体引入复合中心来消除二极管中的过剩载流子，实现降低器件反向恢复时间1" 的目的。掺金器件能级较深，高温特性较差；电子辐照感生的缺陷不稳定，在较低温度下会 退化消失，且制备得到的器件漏电流偏大；而铂扩散形成的替位原子是稳定的结构，因此器 件的高温稳定性好。
在快恢复二极管的制备过程中，常见的掺铂工艺是铂蒸发或铂溅射。在快恢复二 极管中，作为复合中心的铂量很小，铂溅射或铂蒸发造成铂的消耗量过大，过多的铂在硅片 上，造成浪费，且提高了制作成本；而铂蒸发或铂溅射是以物理方式沉积在硅片表面，导致 应力，带来过多的张力，影响铂的激活，阻碍铂成为有效的复合中心，造成快恢复二极管性 能欠佳。
因此，本领域急需一种制备快恢复二极管制备工艺过程中的铂掺杂的方法，该方 法的成本低，操作简便，条件易控，制备得到的铂掺杂硅材料用于快恢复二极管的性能表现 优良。
本发明涉及一种用于铂掺杂的浸泡溶液，所述溶液中含有氯亚铂酸铵和氢氟酸。本发明还提供了一种快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法，所述方法包括如下步骤：（1）将硅片浸泡在铂掺杂的浸泡溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；（2）退火，获得铂掺杂的硅材料。本发明提供的方法克服了现有技术采用蒸发或溅射进行铂掺杂的技术偏见，创新性的采用溶液对硅片材料进行铂掺杂，为快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法提供了一种新的思路。